Development of High-Quality Gate Oxide on 4H-SiC Using Atomic Layer Deposition
Development of High-Quality Gate Oxide on 4H-SiC Using Atomic Layer Deposition
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使用原子层沉积在 4H-SiC 上开发高质量栅极氧化物
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. B. Renz.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. B. Renz.
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使用合成气体退火提高 SiO2/4H-SiC 界面缺陷密度
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
S. Wirths;G. Alfieri;A. Prasmusinto;A. Mihaila;L. Kranz;M. Bellini;L. Knoll
通讯作者：
L. Knoll
1400°C 栅极氧化的 4H-SiC MOS 电容器和 MOSFET 制造
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Naik;T. Chow
通讯作者：
T. Chow
4H-SiC MOSFET 的高温氮化
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.623
发表时间：
2016
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
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作者：
H. Rong;Y. Sharma;T. Dai;Fan Li;M. Jennings;S. Russell;D. Martin;P. Mawby
通讯作者：
P. Mawby
高迁移率 4H-SiC MOSFET
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
影响因子：
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作者：
A. OrNeill;F. Arith;J. Urresti;K. Vasilevskiy;N. Wright;S. Olsen
通讯作者：
S. Olsen
影响因子：
4
作者：
Tanner, Carey M.;Perng, Ya-Chuan;Chang, Jane P.
通讯作者：
Chang, Jane P.