Design of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors with re-grown AlGaN barrier
Design of normally-off p-GaN/AlGaN/GaN Heterojunction Field-Effect Transistors with re-grown AlGaN barrier
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具有再生长 AlGaN 势垒的常断 p-GaN/AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管的设计
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2023.127106
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发表时间：
2023-01
影响因子：
1.8
通讯作者：
L. Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
X. Han;W. Lin;Q. Wang;S. Cheng;Liang He;L. Li
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影响因子：
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作者：
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通讯作者：
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S. Sakong;Sanghyun Lee;T. Rim;Y. Jo;Jung-Hee Lee;Y. Jeong
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通讯作者：
Wu, Yifeng
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作者：
Jogai, B
通讯作者：
Jogai, B