Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
Parasitic Capacitance Analysis of Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors
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三独立栅极场效应晶体管的寄生电容分析
DOI：
10.1109/jeds.2021.3070475
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发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Gaillardon, Pierre-Emmanuel
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cadareanu, Patsy;Romero-Gonzalez, Jorge;Gaillardon, Pierre-Emmanuel
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发表时间：
2009
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V. Oklobdzija
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通讯作者：
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Gaillardon, Pierre-Emmanuel
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作者：
P. Gaillardon;L. Amarù;Jian Zhang;G. Micheli
通讯作者：
G. Micheli