Development of Extreme Ultraviolet Interference Lithography System
Development of Extreme Ultraviolet Interference Lithography System
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极紫外干涉光刻系统的研制
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasuyuki Fukushima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川田和正;他;K.Kawata for the Tibet AS_γ collaboration;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima;Yasuyuki Fukushima
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软 X 射线和极紫外光谱区域的可调谐相干辐射
影响因子：
2.5
作者：
D. Attwood;P. Naulleau;K. Goldberg;E. Tejnil;Chang Chang;R. Beguiristain;P. Batson;J. Bokor;E. Gullikson;M. Koike;H. Medecki;J. Underwood
通讯作者：
J. Underwood
威斯康星大学在极紫外干涉光刻方面取得进展
DOI：
10.1117/12.772681
发表时间：
2008
期刊：
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影响因子：
--
作者：
A. Isoyan;Yang;F. Jiang;J. Wallace;M. Efremov;P. Nealey;F. Cerrina
通讯作者：
F. Cerrina
使用极紫外干涉光刻技术曝光 38 nm 周期光栅图案
影响因子：
4
作者：
H. Solak;D. He;Wei;S. Singh;F. Cerrina;B. Sohn;Xiaoming Yang;P. Nealey
通讯作者：
P. Nealey
EUV 干涉光刻中的图案复制
影响因子：
0.8
作者：
Shota Suzuki;Y. Fukushima;R. Ohnishi;Takeo Watanabe;H. Kinoshita
通讯作者：
H. Kinoshita
用于 EUV 干涉测量的传输相位光栅。
影响因子：
2.5
作者：
P. Naulleau;C. Cho;E. Gullikson;J. Bokor
通讯作者：
J. Bokor