コンタクトレスエッチング光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製 (2)
コンタクトレスエッチング光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製 (2)
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非接触刻蚀光电化学刻蚀制备凹栅AlGaN/GaN HEMT（2）
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
佐藤 威友
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡久地 政周;三輪 和希;堀切 文正;福原 昇;成田 好伸;吉田 丈洋;佐藤 威友
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单端电阻 $X$ 波段 AlGaN/GaN HEMT MMIC 混频器
DOI：
10.1109/tmtt.2008.2001958
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Sudow;K. Andersson;M. Fagerlind;M. Thorsell;P. Nilsson;N. Rorsman
通讯作者：
N. Rorsman
相对栅极位置对高性能 AlGaN/GaN HEMT 直流和射频特性的影响
影响因子：
3.1
作者：
Y. Yadav;Bhanu B. Upadhyay;Jaya Jha;S. Ganguly;D. Saha
通讯作者：
D. Saha
基于纳米级材料参数的 GaN HEMT 热噪声建模
DOI：
10.1088/1361-6641/abd265
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Madhulika;A. Malik;Priyanka Kamboj;S. Awasthi;Priyanka Thakur;N. Jain;M. Mishra;Sanjeev Kumar;D. S. Rawal;A. Singh
通讯作者：
A. Singh
影响因子：
20.6
作者：
Mishra, UK;Parikh, P;Wu, YF
通讯作者：
Wu, YF