A low-power D flip flop integrated by metal oxide thin film transistors employing internal feedback control
A low-power D flip flop integrated by metal oxide thin film transistors employing internal feedback control
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一种采用内部反馈控制的金属氧化物薄膜晶体管集成的低功耗D触发器
DOI：
10.1088/1361-6641/aae073
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发表时间：
2018-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jian-Dong Wu1 Lei Zhou2
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fan Zhan;Jian-Dong Wu1 Lei Zhou2
传统的D触发器（DFF）由六个伪CMOS或非门和单型晶体管集成而成。通过分析传统DFF的六种逻辑状态，发现三输入或非门可以被具有上拉控制信号的新的三输入或非门取代，并且上拉控制信号连接到另一个或非门的输出。因此，一个新的DFF开发通过使用这样的内部反馈控制方法。在所提出的DFF中，通过适当地切断直流通路可以降低静态功耗。为了比较，传统的DFF和提出的DFF都是由金属氧化物薄膜晶体管与蚀刻停止层结构的基础上相同的设计参数。传统的DFF和提出的DFF具有相同的功能，都使用负沿触发方法工作。在20 kHz时钟信号下，该DFF的功耗比传统DFF的功耗至少低13%。
The conventional D flip flop (DFF) consists of six pseudo-CMOS NOR gates integrated by monotype transistors. By analyzing the six logic states of the conventional DFF, it is found that the three-input NOR gate can be replaced by a new three-input NOR gate with a pull-up control signal and the pull-up control signal is connected to an output of another NOR gate. As a result, a new DFF is developed by using such an internal feedback control method. The static power consumption can be reduced by cutting off the dc path properly in the proposed DFF. For comparison, the conventional DFF and the proposed DFF are both fabricated by metal oxide thin film transistors with an etch stop layer structure on the basis of the same design parameters. Both the conventional DFF and the proposed DFF have the same function and both work using the negative edge triggered method. The measured power consumption of the proposed DFF is at least 13% less than that of the conventional DFF under the condition of a 20 kHz clock signal.
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影响因子：
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作者：
Weijing Wu;Guan-Ming Li;Xing-Heng Xia;Li-Rong Zhang;Lei Zhou;Miao Xu;Lei Wang;Junbiao Peng
通讯作者：
Weijing Wu;Guan-Ming Li;Xing-Heng Xia;Li-Rong Zhang;Lei Zhou;Miao Xu;Lei Wang;Junbiao Peng
影响因子：
4.9
作者：
Binn Kim;C. Ryoo;Sun‐Jae Kim;J. Bae;H. Seo;Chang-Dong Kim;M. Han
通讯作者：
Binn Kim;C. Ryoo;Sun‐Jae Kim;J. Bae;H. Seo;Chang-Dong Kim;M. Han
DOI：
10.1109/mwscas.2006.382032
发表时间：
2006-08
期刊：
2006 49th IEEE International Midwest Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
--
作者：
M. Myjak;J. Delgado-Frías;S. Jeon
通讯作者：
M. Myjak;J. Delgado-Frías;S. Jeon
影响因子：
3.1
作者：
Huang, Tsung-Ching;Fukuda, Kenjiro;Cheng, Kwang-Ting
通讯作者：
Cheng, Kwang-Ting
DOI：
10.1142/s0218126619501081
发表时间：
2019-06
期刊：
J. Circuits Syst. Comput.
影响因子：
--
作者：
Pritam Bhattacharjee;A. Majumder
通讯作者：
Pritam Bhattacharjee;A. Majumder