A 135–170 GHz power amplifier in an advanced sige HBT technology
A 135–170 GHz power amplifier in an advanced sige HBT technology
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采用先进 sige HBT 技术的 135â170 GHz 功率放大器
DOI：
10.1109/rfic.2013.6569584
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
U. Pfeiffer
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Sarmah;B. Heinemann;U. Pfeiffer
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采用 SiGe 技术的 80/160 GHz 收发器和 140 GHz 放大器
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
2007 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium
影响因子：
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作者：
E. Laskin;P. Chevalier;A. Chantre;B. Sautreuil;S. Voinigescu
通讯作者：
S. Voinigescu
SiGe BiCMOS 技术的扩展适用于 100 GHz 以上的应用
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
2012 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICS)
影响因子：
--
作者：
P. Chevalier;T. Lacave;E. Canderle;A. Pottrain;Y. Carminati;J. Rosa;F. Pourchon;N. Derrier;G. Avenier;A. Montagné;A. Balteanu;E. Dacquay;I. Sarkas;D. Céli;D. Gloria;C. Gaquière;S. Voinigescu;A. Chantre
通讯作者：
A. Chantre
具有自动电平控制功能的 20 dBm 全集成 60 GHz SiGe 功率放大器
影响因子：
5.4
作者：
U. Pfeiffer;D. Goren
通讯作者：
D. Goren
采用 160GHz 低成本 SiGe 技术实现 3D 成像
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
IEEE International New Circuits and Systems Conference
影响因子：
--
作者：
K. Statnikov;E. Ojefors;Yan Zhao;U. Pfeiffer
通讯作者：
U. Pfeiffer
采用 SiGe 技术的 165 GHz 收发器
影响因子：
5.4
作者：
E. Laskin;P. Chevalier;A. Chantre;B. Sautreuil;S. Voinigescu
通讯作者：
S. Voinigescu