Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y
Silicide Formation on Si and Si_<1-x-y>Ge_xC_y
复制标题
Si 和 Si_<1-x-y>Ge_xC_y 上硅化物的形成
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.Yasuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
O.Nakatsuka;A.Sakai;S.Zaima;Y.Yasuda
登录
查看更多内容
NiSi 薄膜的高温降解：团聚与 NiSi2 成核
影响因子：
3.2
作者：
D. Deduytsche;C. Detavernier;R. Meirhaeghe;C. Lavoie
通讯作者：
C. Lavoie
Ni2Si 中 NiSi 相分布和 Pt 通过晶界扩散的三维成分图
影响因子：
6
作者：
D. Mangelinck;K. Hoummada;A. Portavoce;C. Perrin;R. Daineche;M. Descoins;D. Larson;P. Clifton
通讯作者：
P. Clifton
Pt 掺杂 Ni-Si 体系中的扫雪机效应和反应扩散
影响因子：
6
作者：
O. Cojocaru;D. Mangelinck;K. Hoummada;E. Cadel;D. Blavette;B. Deconihout;C. Perrin
通讯作者：
C. Perrin
合金元素Mo和W对Ni硅化物形成的影响
DOI：
10.1016/j.mee.2013.12.014
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Derafa;G. Tellouche;K. Hoummada;A. Bouabellou;D. Mangelinck
通讯作者：
D. Mangelinck
(100)SI 和 (111)SI 上 NI(PT) 硅化物的形成及其稳定性
DOI：
10.1557/proc-564-163
发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Mangelinck;J. Dai;S. Lahiri;C. S. Ho;T. Osipowicz
通讯作者：
T. Osipowicz