Electrically active defects induced by sputtering deposition on silicon : The role of hydrogen
Electrically active defects induced by sputtering deposition on silicon : The role of hydrogen
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硅上溅射沉积引起的电活性缺陷：氢的作用
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F.Volpi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F.Volpi
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半导体中的氢理论
DOI：
10.1098/rsta.1995.0007
发表时间：
1995
期刊：
Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A: Physical and Engineering Sciences
影响因子：
--
作者：
R. Jones
通讯作者：
R. Jones
DOI：
10.1103/physrevb.36.4539
发表时间：
1987
期刊：
Physical review. B, Condensed matter
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
Johnson
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作者：
O. Paz;F. Auret;J. White
通讯作者：
J. White
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4
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通讯作者：
G. Myburg
电容瞬态光谱法测定半导体薄膜深部中心的空间分布
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作者：
Y. Zohta;M. Watanabe
通讯作者：
M. Watanabe