Memory impedance in TiO2 based metal-insulator-metal devices.
Memory impedance in TiO2 based metal-insulator-metal devices.
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TiO2 基金属-绝缘体-金属器件中的记忆阻抗
DOI：
10.1038/srep04522
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发表时间：
2014-03-31
影响因子：
4.6
通讯作者：
Prodromakis T
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Qingjiang L;Khiat A;Salaoru I;Papavassiliou C;Hui X;Prodromakis T
最近，一种名为忆阻器的新技术受到了极大的关注，因为它有可能成为新的电子设备标准。然而，它作为第四种缺失元素的表现在科学家中相当有争议。在这里，我们证明了基于二氧化钛的金属绝缘体-金属器件不仅仅是一个存储电阻。它们具有可同时编程的阻性、电容性和电感性元件；基本上表现出记忆、记忆电容和记忆感应效应的卷积。我们展示了非零交叉电流-电压滞环是如何出现的，并在实验上演示了它们在记忆电容和记忆感应效应占主导地位时的频率响应。
Large attention has recently been given to a novel technology named memristor, for having the potential of becoming the new electronic device standard. Yet, its manifestation as the fourth missing element is rather controversial among scientists. Here we demonstrate that TiO2-based metal-insulator-metal devices are more than just a memory-resistor. They possess resistive, capacitive and inductive components that can concurrently be programmed; essentially exhibiting a convolution of memristive, memcapacitive and meminductive effects. We show how non-zero crossing current-voltage hysteresis loops can appear and we experimentally demonstrate their frequency response as memcapacitive and meminductive effects become dominant.
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DOI：
10.1007/s00339-011-6264-9
发表时间：
2011-03-01
影响因子：
2.7
作者：
Chua, Leon
通讯作者：
Chua, Leon
影响因子：
38.3
作者：
Kwon, Deok-Hwang;Kim, Kyung Min;Hwang, Cheol Seong
通讯作者：
Hwang, Cheol Seong
影响因子：
3.2
作者：
Liu, Shangqing;Wu, Naijuan;Li, Jianren
通讯作者：
Li, Jianren
影响因子：
4
作者：
Driscoll, T.;Quinn, J.;Basov, D. N.
通讯作者：
Basov, D. N.
影响因子：
4
作者：
Lee, Min Hwan;Kim, Kyung Min;Hwang, Cheol Seong
通讯作者：
Hwang, Cheol Seong