TCAD Modeling of Cryogenic nMOSFET ON-State Current and Subthreshold Slope
TCAD Modeling of Cryogenic nMOSFET ON-State Current and Subthreshold Slope
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低温 nMOSFET 导通状态电流和亚阈值斜率的 TCAD 建模
DOI：
10.1109/sispad54002.2021.9592586
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wong, Hiu Yung
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Dhillon, Prabjot;Dao, Nguyen Cong;Leong, Philip H.;Wong, Hiu Yung
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用于低温模拟的具有场相关电离能的校准硅迁移率和不完全电离模型
DOI：
10.23919/sispad49475.2020.9241599
发表时间：
2020
期刊：
2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
影响因子：
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作者：
H. Wong
通讯作者：
H. Wong
适用于 6-300 K 温度范围的增强型 MOSFET 阈值电压模型
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
Microelectronics and reliability
影响因子：
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作者：
Cong Nguyen Dao;A. E. Kass;M. Azghadi;C. Jin;Jonathan B. Scott;P. Leong
通讯作者：
P. Leong
5 – 300 K 温度范围内 Bulk CMOS 晶体管的表征和建模
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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作者：
N. Dao
通讯作者：
N. Dao
修改了场效应晶体管亚阈值摆幅的理论极限
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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作者：
A. Beckers;F. Jazaeri;C. Enz
通讯作者：
C. Enz
适用于宽温度范围操作的 SiGe HBT 的物理、紧凑建模和 TCAD
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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作者：
Lan Luo
通讯作者：
Lan Luo