Tribotronic Enhanced Photoresponsivity of a MoS(2) Phototransistor.
Tribotronic Enhanced Photoresponsivity of a MoS(2) Phototransistor.
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MoS2 光电晶体管的 Tribotronic 增强光响应性
DOI：
10.1002/advs.201500419
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发表时间：
2016-06
期刊：
影响因子：
15.1
通讯作者：
Wang, Zhong Lin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pang, Yaokun;Xue, Fei;Wang, Longfei;Chen, Jian;Luo, Jianjun;Jiang, Tao;Zhang, Chi;Wang, Zhong Lin
二硫化钼（MoS 2）作为未来光电器件的优良二维材料引起了人们极大的关注。在这里，一种新型的二硫化钼摩擦光电晶体管的开发由一个二硫化钼光电晶体管和摩擦纳米发电机（TENG）在滑动模式的结合。当外部摩擦层在器件上产生相对滑动时，在MoS 2光电晶体管的背栅上感生的正电荷充当“栅极”，以增加沟道电导率，如同传统的背栅电压一样。随着滑动距离的增加，器件的光响应度在100 mW cm-2紫外激发强度和1 V偏压下从221.0 A W-1急剧增强到727.8 A W-1。这项工作将新兴的摩擦电子学扩展到基于二维材料的光电探测领域，并展示了一种通过人机界面实现具有高光响应度的可调光电器件的新方法。
Molybdenum disulfide (MoS2) has attracted a great attention as an excellent 2D material for future optoelectronic devices. Here, a novel MoS2 tribotronic phototransistor is developed by a conjunction of a MoS2 phototransistor and a triboelectric nanogenerator (TENG) in sliding mode. When an external friction layer produces a relative sliding on the device, the induced positive charges on the back gate of the MoS2 phototransistor act as a “gate” to increase the channel conductivity as the traditional back gate voltage does. With the sliding distance increases, the photoresponsivity of the device is drastically enhanced from 221.0 to 727.8 A W−1 at the 100 mW cm−2 UV excitation intensity and 1 V bias voltage. This work has extended the emerging tribotronics to the field of photodetection based on 2D material, and demonstrated a new way to realize the adjustable photoelectric devices with high photoresponsivity via human interfacing.
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