Suspension and transfer printing of ZnCdMgSe membranes from an InP substrate
Suspension and transfer printing of ZnCdMgSe membranes from an InP substrate
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InP 衬底上的 ZnCdMgSe 膜的悬浮和转印
DOI：
10.1364/ome.411613
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发表时间：
2020
影响因子：
2.8
通讯作者：
Chappell G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chappell G
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影响因子：
2.1
作者：
B. E. Jones;P. Schlosser;J. Jesus;T. Garcia;M. Tamargo;J. Hastie
通讯作者：
B. E. Jones;P. Schlosser;J. Jesus;T. Garcia;M. Tamargo;J. Hastie
InP的{1 1 1}和{1 0 0}表面的化学蚀刻
影响因子：
4.5
作者：
B. Tuck;A. Baker
通讯作者：
A. Baker
GaInAs/InP 微悬臂梁的微机械加工和机械性能
DOI：
--
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Mounaix;P. Delobelle;X. Mélique;L. Bornier;D. Lippens
通讯作者：
D. Lippens
在 (0 0 1) InP 衬底上的 InGaAs 或 InP 缓冲层上生长的假晶 Zn0.5Cd0.5Se 层的结构质量
DOI：
--
发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
--
作者：
E. Snoeks;L. Zhao;B. Yang;A. Cavus;L. Zeng;M. Tamargo
通讯作者：
M. Tamargo
独立式 InAs 膜具有优异的电性能
DOI：
--
发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Yamaguchi;R. Dreyfus;Y. Hirayama;S. Miyashita
通讯作者：
S. Miyashita