Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices
Analysis of Hanle-effect signals observed in Si-channel spin accumulation devices
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硅通道自旋累积器件中观测到的汉勒效应信号分析
DOI：
10.1063/1.4868502
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and S. Sugahara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
6.Y. Takamura;T. Akushichi;A. Sadano;T. Okihio;Y. Shuto;and S. Sugahara
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DOI：
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