Fabrication of AlGaN nanostructures by nanolithography on ultraviolet LEDs grown on Si substrates
Fabrication of AlGaN nanostructures by nanolithography on ultraviolet LEDs grown on Si substrates
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通过纳米光刻在硅衬底上生长的紫外 LED 上制造 AlGaN 纳米结构
DOI：
10.1088/1361-6528/aafd3d
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发表时间：
2019-02
期刊：
影响因子：
3.5
通讯作者：
Yang Hui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ma Chuanfei;Feng Meixin;Wang Jin;Zhou Rui;Sun Qian;Liu Jianxun;Huang Yingnan;Gao Hongwei;Zhou Yu;Yang Hui
AlGaN纳米结构由于其有趣而独特的性质而具有许多应用。在这里，我们报告了一个简单的制造方法AlGaN纳米结构的纳米光刻紫外（UV）LED生长在Si衬底上。我们还研究了各种AlGaN纳米结构阵列对具有嵌入式n型接触的UV（370 nm）薄膜LED的性能的影响。与平面UV LED相比，具有纳米结构的UV LED的输出功率提高了3.9倍，而UV LED的电特性没有受到影响。此外，具有纳米结构的UV LED的远场辐射图案显示出比平面UV LED更好的方向性和更强的强度，这将对定向UV固化应用非常有益。
AlGaN nanostructures have many applications because of their interesting and unique properties. Here we report a simple fabrication method of AlGaN nanostructures by nanolithography on ultraviolet (UV) LEDs grown on Si substrates. We also studied the effects of various AlGaN nanostructure arrays on the performance of the UV (370 nm) thin-film LEDs with an embedded n-type contact. The output power of the UV LEDs with nanostructures was enhanced by 3.9 times compared to the flat UV LEDs, while no penalty was induced for the electrical characteristics of the UV LEDs. Additionally, the far-field radiation pattern of the UV LEDs with nanostructures showed much better directionality and a much stronger intensity than the flat UV LEDs, which would be of great benefit to directional UV curing applications.
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