Study of buffer and epitaxy technology in two-step growth of aluminium nitride
Study of buffer and epitaxy technology in two-step growth of aluminium nitride
复制标题
氮化铝两步生长缓冲及外延技术研究
DOI：
10.1007/s11431-008-0132-7
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发表时间：
2008-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Liu QiJia
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xie ZiLi;Liu Bin;Nie Chao;Gong HaiMei;Han Ping;Zheng YouDou;Yao Jing;Zhang Rong;Xiu XiangQian;Xu Feng;Liu QiJia
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在c面蓝宝石（α-Al 2 O3）衬底上制备了AlN（氮化铝）薄膜。通过对原位光反射曲线的研究，发现AlN成核层呈现出明显的自生长特征，
AlN (aluminium nitride) films were prepared by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on c-plane sapphire (α-Al2O3) substrates. By means of studying the traces of in-situ optical reflectivity, it was found that the AlN nucleation layer showed a sp
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