Morphology-dependent field emission characteristics of SiC nanowires
Morphology-dependent field emission characteristics of SiC nanowires
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SiC 纳米线的形态相关场发射特性
DOI：
10.1063/1.3533813
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发表时间：
2010-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Alan Meng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Zhenjiang Li;Weipeng Ren;Alan Meng
采用化学气相反应法制备了毡状、卷曲状和直状β-SiC纳米线（SiCNWs），并对其场发射特性进行了研究。毡化膜的开启电场和阈值电场分别为2.0和5.3V/μm
Felted, curly, and straight β-SiC nanowires (SiCNWs) had been synthesized by chemical vapor reaction, and morphology-dependent field emission (FE) characteristics were chiefly investigated. The turn-on and threshold fields were 2.0 and 5.3 V/μm for felted
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影响因子：
4
作者：
Deng, S. Z.;Li, Z. B.;She, J. C.
通讯作者：
She, J. C.
DOI：
10.1007/s00339-002-1961-z
发表时间：
2003-03
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Z. Li;H. Li;X. Chen;A. Meng;K. Li;Y. P. Xu;L. Dai
通讯作者：
Z. Li;H. Li;X. Chen;A. Meng;K. Li;Y. P. Xu;L. Dai
影响因子：
3.7
作者：
Yajun Yang;G. Meng;Xianyun Liu;Lide Zhang;Zheng Hu;Chengyu He;Ye-min Hu
通讯作者：
Yajun Yang;G. Meng;Xianyun Liu;Lide Zhang;Zheng Hu;Chengyu He;Ye-min Hu
影响因子：
29.4
作者：
S. Bian;Jinchao He;Lian Li;J. Kumar;S. Tripathy
通讯作者：
S. Bian;Jinchao He;Lian Li;J. Kumar;S. Tripathy
影响因子：
4
作者：
K. Wong;X. Zhou;F. C. Au;H. Lai;Chun‐Sing Lee;S. Lee
通讯作者：
K. Wong;X. Zhou;F. C. Au;H. Lai;Chun‐Sing Lee;S. Lee