Organic floating-gate transistor memory based on the structure of pentacene/nanoparticle-Al/Al2O3
Organic floating-gate transistor memory based on the structure of pentacene/nanoparticle-Al/Al2O3
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基于并五苯/纳米粒子-Al/Al2O3结构的有机浮栅晶体管存储器
DOI：
10.1063/1.3432667
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发表时间：
2010-05
影响因子：
4
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
通过一种简单的制作工艺，实现了一种基于并五苯半导体/纳米颗粒-Al浮栅/Al 2 O3隧穿层的有机薄膜晶体管存储器。浮栅晶体管在电流-电压特性中表现出明显的迟滞行为，并且这些迟滞环的大小取决于栅极电压扫描范围。在±40 V、±50 V和±60 V的写入/擦除脉冲下，可分别获得32.5、50和67.5 V的存储窗口和13、32和70的存储比。通过空穴通过F-N隧穿注入或排出浮置栅的电荷存储机制进行了讨论。
An organic thin-film transistor memory, based on the pentacene semiconductor/nanoparticle-Al floating-gate/Al2O3 tunneling layer, is demonstrated by a simple fabrication process. The floating-gate transistor exhibits significant hysteresis behaviors in current–voltage characteristics and these hysteresis loops size depends on the gate voltage sweeping range. The memory windows of 32.5, 50, and 67.5 V and the memory ratio of 13, 32, and 70 can be obtained by the writing/erasing pulse of ±40 V, ±50 V, and ±60 V, respectively. The charge storage mechanism is discussed well via holes inject or eject the floated gate by F–N tunneling.
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