Highly sensitive extended gate-AlGaN/GaN high electron mobility transistor for bioassay applications
Highly sensitive extended gate-AlGaN/GaN high electron mobility transistor for bioassay applications
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适用于生物测定应用的高灵敏度扩展栅极 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1039/c7ra10028k
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发表时间：
2017-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jiadong Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xiangzhen Ding;Bin Miao;Zhiqi Gu;Baojun Wu;Yimin Hu;Hong Wang;Jian Zhang;Dongmin Wu;Wenhui Lu;Jiadong Li
在此，一个扩展的栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（EG-AlGaN/GaN HEMT）具有高灵敏度的生物检测已经开发。EG-AlGaN/GaN HEMT换能器与传统AlGaN/GaN HEMT换能器之间的主要区别在于
Herein, an extended gate-AlGaN/GaN high electron mobility transistor (EG-AlGaN/GaN HEMT) with a high sensitivity for bioassay has been developed. The major difference between the EG-AlGaN/GaN HEMT transducer and a traditional AlGaN/GaN HEMT transducer is
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影响因子：
4
作者：
M. S. Makowski;I. Bryan;Z. Sitar;C. Arellano;Jinqiao Xie;R. Collazo;A. Ivanisevic
通讯作者：
M. S. Makowski;I. Bryan;Z. Sitar;C. Arellano;Jinqiao Xie;R. Collazo;A. Ivanisevic
DOI：
10.1146/annurev-anchem-071114-040247
发表时间：
2015-01-01
期刊：
ANNUAL REVIEW OF ANALYTICAL CHEMISTRY, VOL 8
影响因子：
--
作者：
Kirste, Ronny;Rohrbaugh, Nathaniel;Ivanisevic, Albena
通讯作者：
Ivanisevic, Albena
影响因子：
12.6
作者：
Kamahori, Masao;Ishige, Yu;Shimoda, Maki
通讯作者：
Shimoda, Maki
影响因子：
4
作者：
G. Steinhoff;B. Baur;G. Wrobel;S. Ingebrandt;A. Offenhäusser;A. Dadgar;A. Krost;M. Stutzmann
通讯作者：
G. Steinhoff;B. Baur;G. Wrobel;S. Ingebrandt;A. Offenhäusser;A. Dadgar;A. Krost;M. Stutzmann
影响因子：
3.1
作者：
Y. Hanazato;M. Nakako;S. Shiono;M. Maeda
通讯作者：
Y. Hanazato;M. Nakako;S. Shiono;M. Maeda