Drain Schottky contact influence on low-field transport characteristic of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
Drain Schottky contact influence on low-field transport characteristic of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
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漏极肖特基接触对AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管低场传输特性的影响
DOI：
10.1007/s00339-022-05608-8
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发表时间：
2022-05
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zhengang Cui
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ming Yang;Qizheng Ji;Yuanyuan Wang;Xiaofeng Hu;Qingyun Yuan;Xiaoning Liu;Jihao He;Ruojue Wang;Li Zhou;Jingbo Xiao;Fei Mei;Xiao Liu;Zhengyu Wang;Chao Zhang;Jiapeng Wu;Yujing Wu;Yingqian Liu;Zhengang Cui
测量了具有漏肖特基接触和漏欧姆接触的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）的电流-电压和电容-电压曲线，得到了栅沟道电子低场输运特性。与传统的漏欧姆接触相比，漏肖特基接触的HFET的电子迁移率曲线具有较大的数值和缓慢的上升趋势。从偏振散射效应的角度对这一现象进行了定性和定量的研究。此外，还发现不同的输运特性源于漏极附近不同的极化电荷分布。由于漏极肖特基接触不受热退火过程的影响，因此没有极化电荷变化，导致较弱的散射强度和较大的电子迁移率。这为AlGaN/GaN HFET的未来优化提供了一个特殊的视角。
Gate-channel electron low-field transport characteristic is obtained from measured current–voltage and capacitance–voltage curves for the AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with drain Schottky contact and drain Ohmic contact. The electron mobility curve of the HFET with drain Schottky contact shows larger value and slower rising trend, comparing with that of traditional drain Ohmic contact. This phenomenon is investigated qualitatively and quantificationally, in the view of polarization scattering effect. In addition, it is found that different transport characteristics originate from different polarization charge distributions near drain electrode. Since drain Schottky contact does not suffer from thermal annealing process, there is no polarization charge variation, inducing weaker scattering intensity and thus larger electron mobility. It offers a special perspective for the future optimization of AlGaN/GaN HFETs.
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