Experimental Investigation of Ballistic Carrier Transport for Sub-100-nm Ge n-MOSFETs
Experimental Investigation of Ballistic Carrier Transport for Sub-100-nm Ge n-MOSFETs
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亚 100 nm Gen n-MOSFET 弹道载流子传输的实验研究
DOI：
10.1109/led.2017.2674178
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发表时间：
2017-02
影响因子：
4.9
通讯作者：
yi zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
ran cheng;longxiang yin;heng wu;xiao yu;zejie zheng;wangran wu;bing chen;peide ye;xiaoyan liu;yi zhao
我们通过采用超快脉冲 I-V 系统进行测量，展示了对亚 100 nm GeOI n-MOSFET 弹道输运行为的实验研究。高性能GeOI n-MOSFET 遭受更严重的自热效应和直流特性陷阱
We demonstrate an experimental study on the ballistic transport behavior of sub-100 nm GeOI n-MOSFETs, by adopting an ultrafast pulsed I–V system for measurement. High performance GeOI n-MOSFETs suffer severer self-heating effect and traps in the dc chara
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影响因子：
4.9
作者：
Hai Jiang;Xiaoyan Liu;N. Xu;Yandong He;G. Du;Xing Zhang
通讯作者：
Hai Jiang;Xiaoyan Liu;N. Xu;Yandong He;G. Du;Xing Zhang
影响因子：
3.1
作者：
M. V. van Dal;G. Vellianitis;B. Duriez;G. Doornbos;C. Hsieh;Bi-Hui Lee;K. Yin;M. Passlack;Carlos H. Díaz
通讯作者：
M. V. van Dal;G. Vellianitis;B. Duriez;G. Doornbos;C. Hsieh;Bi-Hui Lee;K. Yin;M. Passlack;Carlos H. Díaz
DOI：
10.1109/vlsit.2003.1221112
发表时间：
2003-06
期刊：
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407)
影响因子：
--
作者：
S. Takagi
通讯作者：
S. Takagi
DOI：
10.1109/iedm.2015.7409613
发表时间：
2015-12
期刊：
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
Y. Yeo;X. Gong;M. V. van Dal;G. Vellianitis;M. Passlack
通讯作者：
Y. Yeo;X. Gong;M. V. van Dal;G. Vellianitis;M. Passlack
DOI：
10.1109/iedm.2010.5703312
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
R. Pillarisetty;B. Chu-Kung;S. Corcoran;G. Dewey;J. Kavalieros;H. Kennel;R. Kotlyar;V. Le;
通讯作者：
R. Pillarisetty;B. Chu-Kung;S. Corcoran;G. Dewey;J. Kavalieros;H. Kennel;R. Kotlyar;V. Le;