Performance of CMOS pixel sensor prototypes in ams H35 and aH18 technology for the ATLAS ITk upgrade
Performance of CMOS pixel sensor prototypes in ams H35 and aH18 technology for the ATLAS ITk upgrade
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用于 ATLAS ITk 升级的艾迈斯半导体 H35 和 aH18 技术的 CMOS 像素传感器原型的性能
DOI：
10.1016/j.nima.2018.07.061
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Kiehn M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kiehn M
基于商用高压CMOS工艺的像素传感器是一项令人兴奋的技术，被认为是高亮度LHC ATLAS内部跟踪器升级外层的一种选择。在这里，带电粒子检测使用深n阱作为传感器二极管与耗尽区延伸到硅体。可以添加模拟和数字读出电子器件，以实现不同级别的集成，直至完全单片传感器。使用艾迈斯半导体CMOS技术的小规模原型先前已证明，它可以实现10 15 n eq/cm 2的辐射容限和99.5%以上的检测效率。最近，已生产出尺寸与完整传感器相当的大面积原型，包括最终设计所需的大多数功能：采用艾迈斯半导体H35技术生产的H35演示原型，支持外部和集成读出，以及采用艾迈斯半导体aH 18技术生产的单片ATLASPix 1预生产设计。这两种芯片都基于大填充因子像素设计，但读出结构不同。H35 DEMO与电容耦合外部读出和单片ATLASPix 1的第一个结果的性能结果。
Pixel sensors based on commercial high-voltage CMOS processes are an exciting technology that is considered as an option for the outer layer of the ATLAS inner tracker upgrade at the High Luminosity LHC. Here, charged particles are detected using deep n-wells as sensor diodes with the depleted region extending into the silicon bulk. Both analog and digital readout electronics can be added to achieve different levels of integration up to a fully monolithic sensor. Small scale prototypes using the ams CMOS technology have previously demonstrated that it can achieve the required radiation tolerance of 10 15 n eq/cm 2 and detection efficiencies above 99.5%. Recently, large area prototypes, comparable in size to a full sensor, have been produced that include most features required towards a final design: the H35demo prototype produced in ams H35 technology that supports both external and integrated readout and the monolithic ATLASPix1 pre-production design produced in ams aH18 technology. Both chips are based on large fill-factor pixel designs, but differ in readout structure. Performance results for H35DEMO with capacitively-coupled external readout and first results for the monolithic ATLASPix1 are shown.
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用于高能物理实验的单片 HV-CMOS 像素探测器新颖原型的表征
影响因子：
1.3
作者：
S. Terzo;E. Cavallaro;R. Casanova;F. D. Bello;F. Förster;S. Grinstein;I. Perić;C. Puigdengoles;B. Ristic;M. V. B. Pinto;E. Vilella
通讯作者：
E. Vilella
用于高亮度 LHC 升级的 HV-CMOS 演示器原型设计
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
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通讯作者：
J. Vossebeld
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通讯作者：
Benoit M
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通讯作者：
A. Sciuccati
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DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Augustin;N. Berger;S. Bravar;S. Corrodi;A. Damyanova;F. Förster;R. Gredig;A. Herkert;Q. Huang;L. Huth;M. Kiehn;A. Kozlinskiy;S. Maldaner;I. Perić;R. Philipp;P. Robmann;A. Schöning;S. Shrestha;D. Bruch;T. Weber;D. Wiedner
通讯作者：
D. Wiedner