Test beam measurement of ams H35 HV-CMOS capacitively coupled pixel sensor prototypes with high-resistivity substrate
Test beam measurement of ams H35 HV-CMOS capacitively coupled pixel sensor prototypes with high-resistivity substrate
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采用高电阻率基板的 ams H35 HV-CMOS 电容耦合像素传感器原型的测试光束测量
DOI：
10.1088/1748-0221/13/12/p12009
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发表时间：
2018
影响因子：
1.3
通讯作者：
Benoit M
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Benoit M
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使用艾迈斯半导体 H35DEMO CMOS 探测器质子辐照后瞬态电流技术进行电荷收集表征
影响因子：
1.3
作者：
Anders J
通讯作者：
Anders J
采用艾迈斯半导体 H18 高压工艺制造的中子辐照 CMOS 传感器的辐射硬度研究
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. F. García;C. Gallrapp;M. Moll;D. Muenstermann
通讯作者：
D. Muenstermann
贫化 CMOS 像素探测器原型的中子辐照测试
影响因子：
1.3
作者：
I. Mandic;T. Hemperek;M. Daas;F. Hügging H. Krüger;D.-L. Pohl;N. Wermes
通讯作者：
N. Wermes
用于高能物理实验的单片 HV-CMOS 像素探测器新颖原型的表征
影响因子：
1.3
作者：
S. Terzo;E. Cavallaro;R. Casanova;F. D. Bello;F. Förster;S. Grinstein;I. Perić;C. Puigdengoles;B. Ristic;M. V. B. Pinto;E. Vilella
通讯作者：
E. Vilella
FBK 在 6 英寸硅晶圆上制造的首款双面 3D 辐射传感器的表征
影响因子：
1.3
作者：
D. Sultan;R. Mendicino;M. Boscardin;S. Ronchin;N. Zorzi;G. Betta
通讯作者：
G. Betta