Investigation of Parasitic Edge Recombination in High-Lifetime Oxidized <i>n</i>-Si
Investigation of Parasitic Edge Recombination in High-Lifetime Oxidized <i>n</i>-Si
复制标题
高寿命氧化<i>n</i>-Si 中寄生边缘复合的研究
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ssp.242.73
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Bonilla R
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bonilla R
登录
查看更多内容
使用从有效寿命测量获得的局部理想因子研究低注入效应
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
--
作者：
Z. Hameiri;Fa‐Jun Ma;K. McIntosh
通讯作者：
K. McIntosh
钝化晶体硅片有效少数载流子寿命的高级建模
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
Fa‐Jun Ma;G. Samudra;M. Peters;A. Aberle;F. Werner;Jan Schmidt;B. Hoex
通讯作者：
B. Hoex
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
I. Martinu;B. Hoex;Van de Sanden;R. Alcubilla;W. Kessels
通讯作者：
W. Kessels
n型直晶硅的稳定场效应表面钝化
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. S. Bonilla;P. Wilshaw
通讯作者：
P. Wilshaw
对 125 mm 非扩散寿命样品的注入水平相关有效寿命进行数值分析
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
Photovoltaic Specialists Conference
影响因子：
--
作者：
Fa‐Jun Ma;Z. Hameiri;G. Samudra;M. Peters;B. Hoex
通讯作者：
B. Hoex