On the oscillator strength in dilute nitride quantum wells on GaAs
On the oscillator strength in dilute nitride quantum wells on GaAs
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GaAs 上稀氮化物量子阱的振荡强度
DOI：
10.1063/1.4729320
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发表时间：
2012
影响因子：
3.2
通讯作者：
M. Kamp
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Ryczko;G. Sek;J. Misiewicz;F. Langer;S. Höfling;M. Kamp
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DOI：
--
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Skierbiszewski;I. Gorczyca;S. P. Łepkowski;J. Łusakowski;J. Borysiuk;J. Toivonen
通讯作者：
J. Toivonen
In x Ga 1 − x N y As 1 − y 的带隙能量与 N 含量的函数关系
DOI：
--
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Duboz;J. Gupta;Z. Wasilewski;J. Ramsey;Robin L. Williams;G. Aers;B. Riel;G. Sproule
通讯作者：
G. Sproule
气源分子束外延生长的p型Ga0.892In0.108NxAs1−x (0⩽X⩽0.024)的退火行为
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Xin;C. Tu;M. Geva
通讯作者：
M. Geva
压缩应变和晶格匹配的 GaInNAs/GaAs 量子阱中的激光增益和阈值特性
DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
--
作者：
W. Chow;E. Jones;N. Modine;A. Allerman;S. Kurtz
通讯作者：
S. Kurtz
GaNyAs1−y/GaAs 多量子阱的非接触电反射：导带偏移和电子有效质量问题
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Kudrawiec;M. Motyka;M. Gładysiewicz;J. Misiewicz;J. Gupta;G. Aers
通讯作者：
G. Aers