Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
Fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and application in the growth of relaxed crack-free thick GaN
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2英寸自支撑多孔GaN晶体薄膜的制备及其在松弛无裂纹厚GaN生长中的应用
DOI：
10.1039/d1ce01032h
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
3.1
通讯作者：
Xiangang Xu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lei Liu;Ruixian Yu;Guodong Wang;Mingsheng Xu;Shouzhi Wang;Hongdi Xiao;Xiaobo Hu;Lei Zhang;Xiangang Xu
本文描述了2英寸自支撑多孔GaN晶体薄膜的制备及其在弛豫无裂纹厚GaN生长中的应用。
This paper describes the fabrication of a 2 inch free standing porous GaN crystal film and the application in the growth of relaxed crack-free thick GaN.
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