Application of cluster-plus-glue-atom model to barrierless Cu-Ni-Ti and Cu-Ni-Ta films
Application of cluster-plus-glue-atom model to barrierless Cu-Ni-Ti and Cu-Ni-Ta films
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簇加胶原子模型在无势垒Cu-Ni-Ti和Cu-Ni-Ta薄膜中的应用
DOI：
10.1116/1.4897616
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发表时间：
2014-10
影响因子：
2.9
通讯作者：
Dong, Chuang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ding, Jianxin;Wang, Miao;Chu, Jinn P.;Dong, Chuang
为了提高铜的热稳定性，避免铜向周围金属的扩散或与周围金属发生界面反应，采用原子团簇加胶原子模型研究了Cu-Ni-M（M = Ti或Ta）种子层的无势垒结构.综合安全分遣队
To improve the thermal stability of copper and avoid its diffusion into surrounding dielectrics or interfacial reactions with them, the authors applied the cluster-plus-glue-atom model to investigate barrierless Cu–Ni–M (M = Ti or Ta) seed layers. The dis
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