Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability
Design a Continuous Switching Test Circuit for Power Devices to Evaluate Reliability
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设计功率器件的连续开关测试电路以评估可靠性
DOI：
10.1541/ieejjia.21004267
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发表时间：
2022
影响因子：
1.7
通讯作者：
Keiji Wada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shin-Ichiro Hayashi;Keiji Wada
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使用光子发射光谱特征表征 ESD 应力对 SiC MOSFET 的影响
DOI：
10.1016/j.microrel.2017.07.013
发表时间：
2017
期刊：
2017 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS)
影响因子：
--
作者：
N. Moultif;E. Joubert;M. Masmoudi;O. Latry
通讯作者：
O. Latry
NO 退火对 SiС MOS 器件中电荷俘获引起的平带电压不稳定性的影响
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.858.599
发表时间：
2016
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Yoshihito Katsu;T. Hosoi;Y. Nanen;T. Kimoto;T. Shimura;Heiji Watanabe
通讯作者：
Heiji Watanabe
DOI：
10.1109/ceidp49254.2020.9437513
发表时间：
2020-10
期刊：
2020 IEEE Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena (CEIDP)
影响因子：
--
作者：
M. Tousi;M. Ghassemi
通讯作者：
M. Tousi;M. Ghassemi
数字电流控制方案的控制和性能
DOI：
10.5416/jipe2003.29.1_93
发表时间：
2003
期刊：
Journal of the Japan Institute of Power Electronics
影响因子：
--
作者：
H. Fujita;H. Yamashita;H. Akagi
通讯作者：
H. Akagi
SiC MOSFET 高温老化下阈值电压不稳定性
DOI：
10.1109/icept.2018.8480781
发表时间：
2018
期刊：
2018 19th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT)
影响因子：
--
作者：
Yang Liu;Xianping Chen;Zhaohui Zhao;Zhigang Li;C. Lu;Jingguo Zhang;H. Ye;S. Koh;Ligen Wang;Guoqi Zhang
通讯作者：
Guoqi Zhang