Demonstration of SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
Demonstration of SiC Heterojunction Bipolar Transistors with AlN/GaN Short-Period Superlattice Widegap Emitter
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带 AlN/GaN 短周期超晶格宽禁带发射极的 SiC 异质结双极晶体管演示
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Suda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Miyake;T.Kimoto;J.Suda
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n-GaN/p-SiC/n-SiC 异质结构的研究
影响因子：
1.8
作者：
A. Lebedev;O. Ledyaev;A. Strel'chuk;A. N. Kuznetsov;A. Nikolaev;A. Zubrilov;A. Volkova
通讯作者：
A. Volkova
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.615-617.979
发表时间：
2009
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
H. Miyake;T. Kimoto;J. Suda
通讯作者：
J. Suda
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.527-529.1545
发表时间：
2006
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
J. Suda;Y. Nakano;S. Shimada;Koichi Amari;T. Kimoto
通讯作者：
T. Kimoto
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影响因子：
3.2
作者：
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通讯作者：
V. Dmitriev
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影响因子：
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通讯作者：
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