High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation
High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and (NH4)2S surface passivation
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使用 HCl 和 (NH4)2S 表面钝化的高迁移率锗 p-MOSFET
DOI：
10.1088/1674-1056/22/10/107302
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发表时间：
2013-10
影响因子：
1.7
通讯作者：
刘洪刚
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
常虎东;孙兵;赵威;刘洪刚
为了实现高空穴迁移率 Ge p-MOSFET 应用的高质量高 κ/Ge 界面，引入了简单的化学清洗和表面钝化方案，并演示了有效沟道空穴迁移率高达 665 cm2/Vs 的 Ge p-MOSFET
To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications, a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced, and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to 665 cm2/Vs are demonstrate
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DOI：
10.1016/j.nimb.2010.09.007
发表时间：
2010-11
影响因子：
1.3
作者：
A. Aktağ;E. Yılmaz;N. A. Mogaddam;Gülnur Aygün;A. Cantas;R. Turan
通讯作者：
A. Aktağ;E. Yılmaz;N. A. Mogaddam;Gülnur Aygün;A. Cantas;R. Turan
氟掺入对 HfTiON 电介质 Ge p-MOS 电容器性能的影响
DOI：
10.1016/j.sse.2010.03.002
发表时间：
2010-07
期刊：
Solid-State Electronics, vol. 54, pp. 675-679. 2010
影响因子：
--
作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
通讯作者：
C. X. Li, C. H. Leung, P. T. Lai, J. P. Xu
影响因子：
3.5
作者：
Chang Hudong;Liu Guiming;Bing Sun;Wei Zhao;Wenxin Wang;Honggang Liu
通讯作者：
Chang Hudong;Liu Guiming;Bing Sun;Wei Zhao;Wenxin Wang;Honggang Liu
DOI：
10.7567/ssdm.2009.b-7-2
发表时间：
2009-10
期刊：
The Japan Society of Applied Physics
影响因子：
--
作者：
Shengkai Wang;K. Kita;T. Nishimura;K. Nagashio;A. Toriumi
通讯作者：
Shengkai Wang;K. Kita;T. Nishimura;K. Nagashio;A. Toriumi
影响因子：
3.1
作者：
TAKAGI, S;TORIUMI, A;TANGO, H
通讯作者：
TANGO, H