Exceptional Repetitive-Short-Circuit Robustness of Vertical GaN Fin-JFET at High Voltage
Exceptional Repetitive-Short-Circuit Robustness of Vertical GaN Fin-JFET at High Voltage
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垂直 GaN Fin-JFET 在高电压下具有出色的重复短路鲁棒性
DOI:
10.1109/ispsd49238.2022.9813618
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发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
Zhang, Y.
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
Zhang, R.;Liu, J.;Li, Q.;Pidaparthi, S.;Edwards, A.;Drowley, C.;Zhang, Y.
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影响因子:
4.9
作者:
Zhang, Ruizhe;Liu, Jingcun;Li, Qiang;Pidaparthi, Subhash;Edwards, Andrew;Drowley, Cliff;Zhang, Yuhao
通讯作者:
Zhang, Yuhao
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
IEEE transactions on industrial electronics (1982. Print)
影响因子:
--
作者:
Jiahui Sun;Jin Wei;Zheyang Zheng;K. J. Chen
通讯作者:
K. J. Chen
影响因子:
4.9
作者:
I. Hwang;S. Chong;Younghwan Park;Sun;Boram Kim;Joonyong Kim;Jae;J. H. Park;Dong;M. Yu;J. Shin;Jongseob Kim
通讯作者:
Jongseob Kim
影响因子:
6.7
作者:
Zhang, Ruizhe;Liu, Jingcun;Li, Qiang;Pidaparthi, Subhash;Edwards, Andrew;Drowley, Cliff;Zhang, Yuhao
通讯作者:
Zhang, Yuhao
DOI:
--
发表时间:
2018
期刊:
IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子:
--
作者:
A. Castellazzi;A. Fayyaz;Siwei Zhu;T. Oeder;M. Pfost
通讯作者:
M. Pfost