Impact of Nitrogen Incorporation on the Interface Between Ge and La2O3 or Y2O3 Gate Dielectric: A Study on the Formation of Germanate
Impact of Nitrogen Incorporation on the Interface Between Ge and La2O3 or Y2O3 Gate Dielectric: A Study on the Formation of Germanate
复制标题
氮掺入对 Ge 与 La2O3 或 Y2O3 栅极电介质之间界面的影响：锗酸盐形成的研究
DOI：
10.1109/ted.2016.2618221
复制
发表时间：
2016-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
W.M Tang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J.P. Xu;Y. Huang;P.T. Lai;W.M Tang
采用La_2O_3和Y_2O_3作为Ge MOS电容的栅介质，对它们的电学和界面特性进行了比较研究。由于La_2O_3与G的反应活性高得多，
La2O3 and Y2O3 are used as gate dielectric in Ge MOS capacitors, and their electrical and interfacial properties are comparatively studied. Due to the much higher reactivity of La2O3 with G
登录
查看更多内容
影响因子：
3.2
作者：
A. Molle;S. Baldovino;M. Fanciulli;D. Tsoutsou;E. Golias;A. Dimoulas
通讯作者：
A. Molle;S. Baldovino;M. Fanciulli;D. Tsoutsou;E. Golias;A. Dimoulas
影响因子：
3.2
作者：
O. Bethge;C. Zimmermann;B. Lutzer;S. Simsek;J. Smoliner;M. Stöger-Pollach;C. Henkel;E. Bertagnolli
通讯作者：
O. Bethge;C. Zimmermann;B. Lutzer;S. Simsek;J. Smoliner;M. Stöger-Pollach;C. Henkel;E. Bertagnolli
影响因子：
4.9
作者：
Jiqu Xu;Xiaoyu Zhang;Cheng Li;P. T. Lai;C. Chan
通讯作者：
Jiqu Xu;Xiaoyu Zhang;Cheng Li;P. T. Lai;C. Chan
影响因子：
3.2
作者：
Mitrovic, I. Z.;Althobaiti, M.;Dimoulas, A.
通讯作者：
Dimoulas, A.
影响因子：
2.3
作者：
Chao-Ching Cheng;C. Chien;Ching-Wei Chen;S. Hsu;Ming-Yi Yang;Chien-Chao Huang;Fu-Liang Yang;Chun-Yen Chang
通讯作者：
Chao-Ching Cheng;C. Chien;Ching-Wei Chen;S. Hsu;Ming-Yi Yang;Chien-Chao Huang;Fu-Liang Yang;Chun-Yen Chang