High-electron-mobility InN epilayers grown on silicon substrate
High-electron-mobility InN epilayers grown on silicon substrate
复制标题
在硅衬底上生长的高电子迁移率 InN 外延层
DOI：
10.1063/1.5017153
复制
发表时间：
2018-04
影响因子：
4
通讯作者：
Bo Shen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huapeng Liu;Xinqiang Wang;Zhaoying Chen;Xiantong Zheng;Ping Wang;Bowen Sheng;Tao Wang;Xin Rong;Mo Li;Jian Zhang;Xuelin Yang;Fujun Xu;Weikun Ge;Bo Shen
采用分子束外延技术在Si（111）衬底上在极富In条件下获得了高电子迁移率的InN外延层。直接探测的电子迁移率为3640 cm 2 V−1 s−1，剩余电子浓度为2.96 × 1017 cm−3，
High-electron-mobility InN epilayers are achieved under the extremely In-rich condition on Si (111) substrates by molecular beam epitaxy. A directly probed electron mobility of 3640 cm2 V−1 s−1 and a residual electron concentration of 2.96 × 1017 cm−3 are
登录
查看更多内容
影响因子：
2.1
作者：
Fuh-Hsiang Yang;Jih-Shang;Hwang;Kuei-Hsien Chen;Ying-Jay Yang;T. Lee;L. Hwa;Li‐Chyong Chen
通讯作者：
Fuh-Hsiang Yang;Jih-Shang;Hwang;Kuei-Hsien Chen;Ying-Jay Yang;T. Lee;L. Hwa;Li‐Chyong Chen
影响因子：
4
作者：
Ke Xu;A. Yoshikawa
通讯作者：
Ke Xu;A. Yoshikawa
DOI：
10.1002/pssb.200642433
发表时间：
2007-10
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
Zeki Yarar
通讯作者：
Zeki Yarar
影响因子：
4
作者：
A. Janotti;C. Walle
通讯作者：
A. Janotti;C. Walle
影响因子：
4
作者：
C. Gallinat;G. Koblmüller;Jay S. Brown;S. Bernardis;J. Speck;E. Readinger;H. Shen
通讯作者：
C. Gallinat;G. Koblmüller;Jay S. Brown;S. Bernardis;J. Speck;E. Readinger;H. Shen