Aluminum acceptor activation and charge compensation in implanted p-type 4H-SiC
Aluminum acceptor activation and charge compensation in implanted p-type 4H-SiC
复制标题
注入 p 型 4H-SiC 中的铝受体激活和电荷补偿
DOI:
10.1063/1.5096440
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
1.6
通讯作者:
T. Erlbacher
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
J. Weiße;M. Hauck;M. Krieger;A. J. Bauer;T. Erlbacher
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影响因子:
3.7
作者:
I. Ivanov;B. Magnusson;E. Janzén
通讯作者:
E. Janzén
影响因子:
3.2
作者:
F. Schmid;M. Krieger;M. Laube;G. Pensl;G. Wagner
通讯作者:
G. Wagner
DOI:
10.4028/www.scientific.net/msf.483-485.519
发表时间:
2005
期刊:
Materials Science Forum
影响因子:
--
作者:
Á. Gali;T. Hornos;P. Deák;N. T. Son;E. Janzén;W. J. Choyke
通讯作者:
W. J. Choyke
影响因子:
3.2
作者:
M. Gong;S. Fung;C. Beling;G. Brauer;H. Wirth;W. Skorupa
通讯作者:
W. Skorupa
影响因子:
3.1
作者:
V. Šimonka;A. Hössinger;J. Weinbub;S. Selberherr
通讯作者:
S. Selberherr