Quasiballistic Electron Emission from Planarized Nanocrystalline-Si Cold Cathode
Quasiballistic Electron Emission from Planarized Nanocrystalline-Si Cold Cathode
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平面化纳米晶硅冷阴极的准弹道电子发射
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Koshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Tsuchiya;T.Nakatsukasa;H.Mizuta;S.Oda;A.Kojima;N.Koshida
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DOI：
10.1116/1.4905937
发表时间：
2015-01
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
C. Wenger;J. Kitzmann;A. Wolff;M. Fraschke;C. Walczyk;G. Lupina;W. Mehr;Marcel Junige;M. Albert;J. Bartha
通讯作者：
C. Wenger;J. Kitzmann;A. Wolff;M. Fraschke;C. Walczyk;G. Lupina;W. Mehr;Marcel Junige;M. Albert;J. Bartha
多晶硅金属-绝缘体-半导体电子发射体
影响因子：
1.4
作者：
A. Govyadinov;T. Novet;D. Pidwerbecki;S. Ramamoorthi;James A. Smith;John Y. Chen;C. Otis;D. Neiman;P. Benning
通讯作者：
P. Benning
在玻璃基板上制造 7.6 英寸对角原型弹道电子表面发射显示器。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
J.of Soc.for Information Display 12
影响因子：
--
作者：
T.Komoda;Y.Honda;T.Ichihara;T.Hatai Y.Watabe;K.Aizawa;N.Koshida
通讯作者：
N.Koshida
石墨烯薄片的极低能电子显微镜
影响因子：
2
作者：
E. Mikmeková;H. Bouyanfif;M. Lejeune;I. Müllerová;M. Hovorka;M. Uncovsky;L. Frank
通讯作者：
L. Frank
以外延 CaF2 层作为绝缘体的金属-绝缘体-半导体发射极
DOI：
10.1116/1.589918
发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Miyamoto;A. Yamaguchi;K. Oshima;W. Saitoh;M. Asada
通讯作者：
M. Asada