Enabling In-Memory Computations in Non-Volatile SRAM Designs
Enabling In-Memory Computations in Non-Volatile SRAM Designs
复制标题
在非易失性 SRAM 设计中启用内存计算
DOI：
10.1109/jetcas.2022.3174148
复制
发表时间：
2022
影响因子：
4.6
通讯作者：
Kulkarni, Jaydeep P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sundara Raman, Siddhartha Raman;Nibhanupudi, S. S.;Kulkarni, Jaydeep P.
登录
查看更多内容
使用忆阻器和选择器作为技术辅助的高密度 NV-SRAM
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications
影响因子：
--
作者：
S. Teja Nibhanupudi;J. Kulkarni
通讯作者：
J. Kulkarni
缩放逻辑和 SRAM MOSFET 的电源和阈值电压趋势
影响因子：
3.1
作者：
E. Morifuji;Takeshi Yoshida;Masahiko Kanda;Satoshi Matsuda;Seiji Yamada;Fumitomo Matsuoka
通讯作者：
Fumitomo Matsuoka
双 VT SRAM 单元，具有全摆幅单端位线感应，可实现 0.13 μm 技术一代的高性能片上高速缓存
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
International Symposium on Low Power Electronics and Design
影响因子：
--
作者：
F. Hamzaoglu;Y. Te;A. Keshavarzi;Kevin Zhang;S. Narendra;S. Borkar;Mircea R. Stan;V. De
通讯作者：
V. De
相变材料辅助低功耗 SRAM 设计
影响因子：
3.1
作者：
Nibhanupudi, S. S.;Raman, Siddhartha Raman;Kulkarni, Jaydeep P.
通讯作者：
Kulkarni, Jaydeep P.