Phase Transition Material-Assisted Low-Power SRAM Design
Phase Transition Material-Assisted Low-Power SRAM Design
复制标题
相变材料辅助低功耗 SRAM 设计
DOI：
10.1109/ted.2021.3067849
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发表时间：
2021
影响因子：
3.1
通讯作者：
Kulkarni, Jaydeep P.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Nibhanupudi, S. S.;Raman, Siddhartha Raman;Kulkarni, Jaydeep P.
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SRAM 动态稳定性：理论、变异性和分析
DOI：
10.1109/iccad.2008.4681601
发表时间：
2008
期刊：
2008 IEEE/ACM International Conference on Computer-Aided Design
影响因子：
--
作者：
Wei Dong;Peng Li;Garng M. Huang
通讯作者：
Garng M. Huang
17.1 采用 14nm FinFET CMOS 技术的 0.6V 1.5GHz 84Mb SRAM 设计
DOI：
10.1109/isscc.2015.7063050
发表时间：
2015
期刊：
2015 IEEE International Solid-State Circuits Conference - (ISSCC) Digest of Technical Papers
影响因子：
--
作者：
E. Karl;Z. Guo;James W. Conary;Jeffrey L. Miller;Yong;Satyanand Nalam;Daeyeon Kim;J. Keane;U. Bhattacharya;Kevin Zhang
通讯作者：
Kevin Zhang
宽度量化感知 FinFET 电路设计
DOI：
10.1109/cicc.2006.320916
发表时间：
2006
期刊：
IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2006
影响因子：
--
作者：
Jie Gu;J. Keane;S. Sapatnekar;C. Kim
通讯作者：
C. Kim
影响因子：
3.1
作者：
Srinivasa, Srivatsa;Aziz, Ahmedullah;Gupta, Sumeet Kumar
通讯作者：
Gupta, Sumeet Kumar
影响因子：
3.1
作者：
Aziz, Ahmedullah;Shukla, Nikhil;Gupta, Sumeet Kumar
通讯作者：
Gupta, Sumeet Kumar