表面光反射分光によるSi(001)初期酸化過程のリアルタイム解析
表面光反射分光によるSi(001)初期酸化過程のリアルタイム解析
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利用表面光反射光谱实时分析Si(001)的初始氧化过程
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大野真也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Tanaka;K. Shudo;S. Ohno;T. Iida;S. Ohno;S. Ohno;大野真也;大野真也;大野真也;大野真也;大野真也;大野真也;大野真也
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用于研究表面态光学跃迁的表面微分反射率——综述
DOI：
10.1088/0953-8984/16/39/001
发表时间：
2004
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
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作者：
A. Cricenti
通讯作者：
A. Cricenti
影响因子：
3.7
作者：
Yasuda, T;Kumagai, N;Yamabe, K
通讯作者：
Yamabe, K
DOI：
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发表时间：
1979
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Bagchi;R. Barrera;A. Rajagopal
通讯作者：
A. Rajagopal
实时观察Si(001)上气源分子束外延生长Si和SiGe过程中的反射率各向异性和反射高能电子衍射强度振荡。
影响因子：
8.6
作者：
Turner;Pemble;Fernández;Joyce;Zhang;Taylor
通讯作者：
Taylor
反射差光谱、表面光吸收和光谱椭圆光度法之间的关系
影响因子：
4
作者：
K. Hingerl;D. Aspnes;I. Kamiya;L. Florez
通讯作者：
L. Florez