Fully tensile strained partial silicon-on-insulator n-type lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using localized contact etching stop layers
Fully tensile strained partial silicon-on-insulator n-type lateral-double-diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using localized contact etching stop layers
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使用局部接触蚀刻停止层的全拉伸应变部分绝缘体上硅n型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
DOI：
10.1063/1.4983214
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发表时间：
2017-05
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Liu Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Xiangzhan;Tan Changgui;Zou Xi;Zhang Yi;Pan Jianhua;Liu Yang
接触蚀刻停止层（CESL）应力源的使用是用于将应力引入到晶体管沟道中的流行技术。然而，当通过覆盖横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）而向n型LDMOS施加拉伸应力时，
The use of contact etching stop layer (CESL) stressors is a popular technique for introducing stress into a transistor channel. However, when tensile stress is applied to an n-type lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) by covering the
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