InAs heteroepitaxy on nanopillar-patterned GaAs (111)A
InAs heteroepitaxy on nanopillar-patterned GaAs (111)A
复制标题
纳米柱图案 GaAs (111)A 上的 InAs 异质外延
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2020.125597
复制
发表时间：
--
影响因子：
1.8
通讯作者：
J.K.N. Lindner
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
V.S. Kunnathully;T. Riedl;A. Trapp;T. Langer;D. Reuter;J.K.N. Lindner
登录
查看更多内容
DOI：
10.1116/1.4972049
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
--
作者：
C. Yerino;B. Liang;D. Huffaker;P. Simmonds;M. Lee
通讯作者：
C. Yerino;B. Liang;D. Huffaker;P. Simmonds;M. Lee
影响因子：
3.4
作者：
T. Riedl;V. Kunnathully;A. Trapp;T. Langer;D. Reuter;J. Lindner
通讯作者：
T. Riedl;V. Kunnathully;A. Trapp;T. Langer;D. Reuter;J. Lindner
分子束外延在 GaAs 上生长 (In,Ga)As 过程中 In 原子掺入的衬底取向依赖性
影响因子：
1.8
作者：
K. Pak;M. Fahy;Xiao;B. Joyce
通讯作者：
B. Joyce
在分子束外延中使用 GaAs (111)A 衬底可显着改善表面平整度
影响因子：
1.5
作者：
H. Yamaguchi;Y. Homma;K. Kanisawa;Y. Hirayama
通讯作者：
Y. Hirayama
GaAs 表面上自组织制造垂直超薄纳米柱周期性阵列
DOI：
10.1002/pssa.201431474
发表时间：
2014
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
T. Riedl;J. Lindner
通讯作者：
J. Lindner