Two Beam Coupling in Semi-Insulating GaN Film Using Electroabsorption Effect
Two Beam Coupling in Semi-Insulating GaN Film Using Electroabsorption Effect
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利用电吸收效应在半绝缘 GaN 薄膜中进行两束耦合
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Innami他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Tanaka;T.Yasuda;K.Fujita;T.Tsutsui;安田 剛;安田 剛;T.Yasuda et al.;T.Yasuda et al.;T.Yasuda et al.;安田 剛;安田 剛;安田 剛;小西美鈴;T.Innami他
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DOI：
10.1364/josab.7.002217
发表时间：
1990
影响因子：
1.9
作者：
D. Nolte;D. Olson;G. Doran;W. Knox;A. Glass
通讯作者：
A. Glass
半绝缘硫化镉在 633 nm 处的光折变效应
影响因子：
4
作者：
P. Tayebati;J. Kumar;S. Scott
通讯作者：
S. Scott
利用光折变效应在半绝缘 InP 和 GaAs 中进行四波混频
影响因子：
4
作者：
A. Glass;A. Johnson;D. Olson;W. Simpson;A. Ballman
通讯作者：
A. Ballman
GaP 中的光折变效应。
影响因子：
3.6
作者：
K. Kuroda;Y. Okazaki;T. Shimura;H. Okamura;M. Chihara;M. Itoh;I. Ogura
通讯作者：
I. Ogura
InP:Ti 的光学和光折变特性：一种新型光折变半导体。
影响因子：
3.6
作者：
D. Nolte;D. H. Olsen;E. Monberg;P. Bridenbaugh;A. Glass
通讯作者：
A. Glass