Plasma etching for fabrication of complex nanophotonic lasers from bonded InP semiconductor layers
Plasma etching for fabrication of complex nanophotonic lasers from bonded InP semiconductor layers
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用于从键合 InP 半导体层制造复杂纳米光子激光器的等离子体蚀刻
DOI：
10.1016/j.mne.2023.100196
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发表时间：
2023
影响因子：
--
通讯作者：
Dranczewski J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dranczewski J
在硅/绝缘体平台上集成光学活性III-V材料是提高现代计算的能源效率和性能的一种潜在途径。在这里，我们证明了直接晶片键合与等离子体蚀刻相结合的InP层的复杂的纳米光子系统的制造的适用性。我们探索和优化InP的等离子体蚀刻，验证现有工艺并开发改进的工艺。我们探索使用微盘激光作为一种方法来评估制造保真度，并表明，我们可以创建复杂的激光系统的兴趣，我们：耦合盘腔和随机网络激光器。
Integrating optically active III-V materials on silicon/insulator platforms is one potential path towards improving the energy efficiency and performance of modern computing. Here we demonstrate the applicability of direct wafer bonding combined with plasma etching to the fabrication of complex nanophotonic systems out of InP layers. We explore and optimise the plasma etching of InP, validating existing processes and developing improved ones. We explore the use of microdisk lasing as a way to evaluate fabrication fidelity, and demonstrate that we can create complex lasing systems of interest to us: coupled disk cavities and random network lasers.
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采用 CH4/H2/O2/Ar 反应离子刻蚀制造高深宽比 InP 基垂直腔激光镜
DOI：
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发表时间：
1997
期刊：
影响因子：
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作者：
J. Schramm;D. Babic;E. Hu;J. Bowers;J. Merz
通讯作者：
J. Merz
电流注入光子晶体激光器
影响因子：
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作者：
T. Kakitsuka;S. Matsuo
通讯作者：
S. Matsuo
InP 芯片转移到硅基板上用于光学互连应用
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Kostrzewa;L. Cioccio;M. Zussy;J. Roussin;J. Fédéli;N. Kernevez;P. Regreny;C. Lagahe;B. Aspar
通讯作者：
B. Aspar
DOI：
10.1109/jstqe.2019.2915924
发表时间：
2019-11-01
影响因子：
4.9
作者：
Mauthe, Svenja;Trivino, Noelia Vico;Moselund, Kirsten Emilie
通讯作者：
Moselund, Kirsten Emilie
影响因子：
3.1
作者：
Caimi, Daniele;Tiwari, Preksha;Zota, Cezar B.
通讯作者：
Zota, Cezar B.