Facile synthesis of novel one-dimensional hierarchical SiC@SiO2@c-C nanostructures and their field emission properties
Facile synthesis of novel one-dimensional hierarchical SiC@SiO2@c-C nanostructures and their field emission properties
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新型一维分层SiC@SiO2@c-C纳米结构的简便合成及其场发射性能
DOI：
10.1039/c4ra11931b
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发表时间：
2014-10
期刊：
影响因子：
3.9
通讯作者：
Lu Gong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Jian Zhao;Alan Meng;Fenglin Ma;Lu Gong
采用Ni辅助化学气相沉积方法，成功地制备了由碳化硅芯核、二氧化硅中间层和晶态碳涂层(碳化硅@二氧化硅@c-C)组成的一维层状纳米结构。作为场发射阴极材料，该纳米结构的开启电场为0.8Vμm−1，阈值电场为2.6Vμm−1。由于不同层之间具有协同作用的优点，界面区的能带图结构充分说明了这种吸引人的性能。具有半导体-绝缘体-半导体几何结构的同轴纳米结构在纳米电子显示器件中具有广阔的应用前景。
One-dimensional hierarchical nanostructures composed of SiC cores, SiO2 interlayers and crystalline carbon coatings (SiC@SiO2@c-C) were successfully synthesized by Ni-assisted chemical vapor deposition method. The nanostructures delivered a low turn-on field of 0.8 V μm−1 and threshold field of 2.6 V μm−1 when evaluated as a field emission cathode material. With the advantages of synergy between different layers, the attractive performance was adequately illustrated by the energy band diagram structures of the interface area. The coaxial nanostructures with a semiconductor–insulator–semiconductor geometry have promising applications in nanoelectronics display devices.
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