LDMOS–SCR: a replacement for LDMOS with high ESD self-protection ability for HV application
LDMOS–SCR: a replacement for LDMOS with high ESD self-protection ability for HV application
复制标题
LDMOS™ SCR：LDMOS 的替代品，具有高 ESD 自保护能力，适用于高压应用
DOI：
10.1088/0268-1242/27/3/035006
复制
发表时间：
2012-01
影响因子：
1.9
通讯作者：
Xing Zhang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Peng Zhang;Yuan Wang;Song Jia;Xing Zhang
本文介绍了用于SOI BCD工艺的LDMOS-SCR器件的研究。LDMOS-SCR与BCD工艺完全兼容，可以取代LDMOS作为高压输出驱动器。通过对LDMOS和另一种“pnpn”型LDMOS-SCR的比较，
A study of LDMOS–SCR devices for SOI BCD technology is presented. The LDMOS–SCR is fully compatible with BCD process and can replace the LDMOS as a high voltage output driver. By comparison of the LDMOS and another ‘pnpn’ type of LDMOS–SCR, the triggering
登录
查看更多内容
DOI：
10.1109/mixdes.2006.1706650
发表时间：
2006-06
期刊：
Proceedings of the International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and System, 2006. MIXDES 2006.
影响因子：
--
作者：
Z. Piatek;W. Pleskacz;J. Kolodziejski
通讯作者：
Z. Piatek;W. Pleskacz;J. Kolodziejski
DOI：
10.1109/relphy.2002.996629
发表时间：
2002-08
期刊：
2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th Annual (Cat. No.02CH37320)
影响因子：
--
作者：
Jian-Hsing Lee;J. Shih;C.S. Tang;Kun Liu;Y.H. Wu;R. Shiue;T. Ong;Y.K. Peng;J. Yue
通讯作者：
Jian-Hsing Lee;J. Shih;C.S. Tang;Kun Liu;Y.H. Wu;R. Shiue;T. Ong;Y.K. Peng;J. Yue
DOI：
10.1109/ted.2010.2079530
发表时间：
2010-07
期刊：
2010 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
影响因子：
--
作者：
Chang-Tzu Wang;M. Ker;Tien-Hao Tang;K. Su
通讯作者：
Chang-Tzu Wang;M. Ker;Tien-Hao Tang;K. Su
DOI：
10.1007/978-3-642-61395-1
发表时间：
1996
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
通讯作者：
B. Murari;F. Bertotti;G. Vignola
DOI：
10.1109/icsict.2010.5667324
发表时间：
2010-12
期刊：
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology
影响因子：
--
作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang
通讯作者：
Peng Zhang;Y. Wang;S. Jia;Xing Zhang