Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory
Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory
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提高灯丝型阻变存储器性能的方法
DOI：
10.1007/s11434-010-4255-4
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发表时间：
2011-03
影响因子：
--
通讯作者：
Zhang, S
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lian, WT;Li, YT;Liu, Q;Wang, Y;Lu, HB;Liu, M;Dai, YH;Chen, JN;Long, SB;Huo, ZL;Zhang, S
电阻式随机存取存储器（RRAM）由于其在小型化、高密度、高速和低功耗方面的潜力而受到了极大的研究兴趣。但是，其耐久性、保持性和均匀性仍不完善。在
Resistive random access memory (RRAM) has received significant research interest because of its promising potential in terms of down-scaling, high density, high speed and low power. However, its endurance, retention and uniformity are still imperfect. In
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