Semi-adsorption-controlled growth window for half-Heusler FeVSb epitaxial films
Semi-adsorption-controlled growth window for half-Heusler FeVSb epitaxial films
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Half-Heusler FeVSb 外延薄膜的半吸附控制生长窗口
DOI：
10.1103/physrevmaterials.4.073401
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发表时间：
2020
影响因子：
3.4
通讯作者：
Morgan, Dane D.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shourov, Estiaque H.;Jacobs, Ryan;Behn, Wyatt A.;Krebs, Zachary J.;Zhang, Chenyu;Strohbeen, Patrick J.;Du, Dongxue;Voyles, Paul M.;Brar, Victor W.;Morgan, Dane D.
Heusler 化合物（组合物）的电子、磁性、热电和拓扑性质对化学计量和缺陷高度敏感。在这里，我们确定了通过分子束外延 (MBE) 生长的半导体半赫斯勒 FeVSb 薄膜的半吸附控制生长窗口的存在性并通过实验绘制了边界。我们发现，由于 Sb 的高挥发性，Sb 化学计量在有限的生长温度和 Sb 通量范围内是自限制的，类似于 GaSb 和 GaAs 等 III-V 族半导体的生长。通过 X 射线衍射 (XRD) 和反射高能电子衍射 (RHEED)，在此窗口内生长的薄膜在结构上几乎无法区分。朝着窗口的富锑边界获得了最高的电子迁移率和最低的背景载流子密度，这表明锑空位可能是一种常见的缺陷。对于含有挥发性物质 {Sb, As, Bi} 的其他三元金属间化合物，例如 CoTiSb、LuPtSb、GdPtBi 和 NiMnSb，预计也会出现类似的半吸附控制边界。然而，在控制剩余的 Fe/V () 过渡金属化学计量方面仍然存在突出的挑战。
The electronic, magnetic, thermoelectric, and topological properties of Heusler compounds (compositionor) are highly sensitive to stoichiometry and defects. Here we establish the existence and experimentally map the bounds of asemi-adsorption-controlled growth window for semiconducting half-Heusler FeVSb films, grown by molecular beam epitaxy (MBE). We show that due to the high volatility of Sb, the Sb stoichiometry is self-limiting for a finite range of growth temperatures and Sb fluxes, similar to the growth of III-V semiconductors such as GaSb and GaAs. Films grown within this window are nearly structurally indistinguishable by x-ray diffraction (XRD) and reflection high energy electron diffraction (RHEED). The highest electron mobility and lowest background carrier density are obtained towards the Sb-rich bound of the window, suggesting that Sb vacancies may be a common defect. Similarsemi-adsorption-controlled bounds are expected for other ternary intermetallics that contain a volatile species{Sb, As, Bi}, e.g., CoTiSb, LuPtSb, GdPtBi, and NiMnSb. However, outstanding challenges remain in controlling the remaining Fe/V () transition metal stoichiometry.
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影响因子：
1.5
作者：
M. Yano;Yukio Suzuki;T. Ishii;Y. Matsushima;M. Kimata
通讯作者：
M. Yano;Yukio Suzuki;T. Ishii;Y. Matsushima;M. Kimata
混合分子束外延自调控 CaVO3 生长
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
C. Eaton;J. Lapano;Lei Zhang;M. Brahlek;R. Engel
通讯作者：
R. Engel
影响因子：
3.4
作者：
P. J. Strohbeen;Dongxue Du;Chenyu Zhang;Estiaque H. Shourov;F. Rodolakis;J. McChesney;P. Voyles;J. Kawasaki
通讯作者：
P. J. Strohbeen;Dongxue Du;Chenyu Zhang;Estiaque H. Shourov;F. Rodolakis;J. McChesney;P. Voyles;J. Kawasaki
GaAs(100) 衬底上薄层 (<2 μ m) GaSb 的分子束外延生长和表征
影响因子：
1.9
作者：
S. Ivanov;P. Altukhov;T. Argunova;A. A. Bakun;A. A. Budza;V. Chaldyshev;Yury A. Kovalenko;P. Kop’ev;R. N. Kutt;B. Meltser;S. Ruvimov;S. V. Shaposhnikov;L. Sorokin;V. Ustinov
通讯作者：
V. Ustinov
影响因子：
4
作者：
Jalan, Bharat;Moetakef, Pouya;Stemmer, Susanne
通讯作者：
Stemmer, Susanne