Electrically Active Copper–Nickel Complexes in p‐Type Silicon
Electrically Active Copper–Nickel Complexes in p‐Type Silicon
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pâ型硅中的电活性铜镍配合物
DOI：
10.1002/pssa.201900304
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Weber
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Yarykin;J. Weber
用DLTS研究了p型Si中替代铜原子（Cus）与间隙镍（Nii）或铜（Cui）的相互作用。移动的间隙物质通过在Ni或Cu污染的KOH水溶液中蚀刻在接近室温下引入。CuIn-diffusion通过几种深能级复合物的形成来证实，包括光致发光CuPL中心，其已知是用三种Cuispecies装饰的Cusatom。NiIn扩散导致三种新型电活性Cu-Ni络合物的出现;其中两种在室温下不稳定，并转化为第三个中心，其具有高于价带顶0.16 eV的能级。蚀刻表面下方的深能级深度分布证实，所有三种Cu-Ni络合物都是通过添加至少一种Ni和一种或多种Cu物种在一个CuS原子的基础上形成的。
The interaction of substitutional copper atoms (Cus) with interstitial nickel (Nii) or copper (Cui) in crystalline p‐type Si is investigated by DLTS. The mobile interstitial species are introduced at near‐room temperatures by etching in Ni‐ or Cu‐contaminated KOH aqueous solutions. The Cuiin‐diffusion is confirmed by the formation of several deep level complexes including the photoluminescence CuPLcenter which is known to be a Cusatom decorated with three Cuispecies. The Niiin‐diffusion results in the appearance of three novel electrically active Cu‐Ni complexes; two of them are unstable at room temperature and transform into the third center which possesses a level at 0.16 eV above the top of the valence band. The deep‐level depth profiles below the etched surface affirm that all three Cu‐Ni complexes are formed on the base of one Cusatom by means of addition at least one Niiand one or more Cuispecies.
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