Comparing high-purity c-and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes Grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy
Comparing high-purity c-and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes Grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy
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比较通过金属有机气相外延同质外延生长的肖特基势垒二极管的高纯度 c 面和 m 面 GaN 层
DOI：
--
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hiroshi Amano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kentaro Nagamatsu;Yuto Ando;Zheng Ye;Osmane Barry;Atsushi Tanaka;Manato Deki;Shugo Nitta;Yoshio Honda;Markus Pristovsek;Hiroshi Amano
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使用不同氮化程序在蓝宝石上生长 InN
DOI：
10.1002/pssa.200565414
发表时间：
2006
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
M. Drago;C. Werner;M. Pristovsek;U. Pohl;W. Richter
通讯作者：
W. Richter
DOI：
10.1143/jjap.39.413
发表时间：
2000-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Takeuchi, T;Amano, H;Akasaki, I
通讯作者：
Akasaki, I
DOI：
10.1116/1.574564
发表时间：
1987-07-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
--
作者：
LIEHR, M;LEWIS, JE;RUBLOFF, GW
通讯作者：
RUBLOFF, GW
MOVPE 制造的 m 面 GaN 肖特基势垒二极管中漏电流和载流子浓度的面依赖性
DOI：
10.1002/pssa.201600829
发表时间：
2017
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
A. Tanaka;Ousmane I Barry;K. Nagamatsu;J. Matsushita;M. Deki;Y. Ando;M. Kushimoto;S. Nitta;Y. Honda;H. Amano
通讯作者：
H. Amano
影响因子：
1.5
作者：
Naganawa, Moe;Aoki, Toshichika;Shiojima, Kenji
通讯作者：
Shiojima, Kenji