Nitrogen Gas Flow Driven Unintentional Incorporation of Alduring the Growth of Dilute Nitride Semiconductor by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
Nitrogen Gas Flow Driven Unintentional Incorporation of Alduring the Growth of Dilute Nitride Semiconductor by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
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氮气流驱动的无意掺入促进等离子体辅助分子束外延生长稀氮化物半导体
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Kondow
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.D. Wu;M. Kato;M. Uchiyama;K. Higashi;F. Ishikawa;and M. Kondow
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DOI：
10.1143/jjap.35.1273
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Kondow, M;Uomi, K;Yazawa, Y
通讯作者：
Yazawa, Y
氮等离子体优化以获得高质量稀氮化物
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
M. Wistey;S. Bank;H. Yuen;H. Bae;J. Harris
通讯作者：
J. Harris
(Ga,In)(As,N) 材料等离子体辅助 MBE 生长的射频等离子体研究
DOI：
10.1016/s0022-0248(02)01527-0
发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
作者：
H. Carrère;A. Arnoult;A. Ricard;E. Bedel
通讯作者：
E. Bedel
1.55- $mu{hbox {m}}$ 稀氮化物激光器的最新进展
影响因子：
2.5
作者：
S. Bank;H. Bae;L. Goddard;H. Yuen;M. Wistey;R. Kudrawiec;J. Harris
通讯作者：
J. Harris
用于光电集成电路的GaPN/Si基发光二极管
DOI：
10.1117/12.735932
发表时间：
2007
期刊：
SPIE Optics East
影响因子：
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作者：
Y. Furukawa;H. Yonezu;A. Wakahara
通讯作者：
A. Wakahara