A comprehensive analysis of Auger generation impacted planar Tunnel FETs

A comprehensive analysis of Auger generation impacted planar Tunnel FETs
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俄歇发电影响平面隧道 FET 的综合分析

DOI:
10.1016/j.sse.2020.107782
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发表时间:
2020
期刊:
Solidstate electronics
影响因子:
--
通讯作者:
Ghosh, A. W.
Ghosh, A. W.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Ahmed, S. Z.;Truesdell, D. S.;Tan, Y.;Calhoun, B. H.;Ghosh, A. W.

文献摘要

参考文献

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